一种单片三维集成芯片智能热仿真方法

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一种单片三维集成芯片智能热仿真方法
申请号:CN202411739291
申请日期:2024-11-29
公开号:CN119830827A
公开日期:2025-04-15
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种单片三维集成芯片智能热仿真方法,属于单片三维集成芯片技术领域,解决了现有技术中热仿真周期长、运算存储量大的问题。所述热仿真方法包括:对单片三维集成芯片进行分层,构建单片三维集成芯片的坐标系和每层的物理等效信息;测量获取多个训练样本;测量热源的坐标点,以及每个热源坐标点在不同时间点的功率,形成热源功率数据;根据多个训练样本,结合每层的物理等效信息和热源功率数据,对物理神经网络PINN进行训练,得到单片三维集成芯片的热仿真模型;将单片三维集成芯片的所有坐标点,以及各坐标点的所有预测时间点输入至热仿真模型,得到每个坐标点在每个预测时间点的预测温度。实现了对单片三维集成芯片的快速热仿真。
技术关键词
热仿真方法 单片 坐标点 热仿真模型 热源 热传导方程 物理 集成芯片技术 数据 功率 矩阵 坐标系 数值 Y轴 密度