背面供电芯片封装结构及其制备方法

AITNT-国内领先的一站式人工智能新闻资讯网站
# 热门搜索 #
背面供电芯片封装结构及其制备方法
申请号:CN202411745748
申请日期:2024-11-29
公开号:CN119581347A
公开日期:2025-03-07
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种背面供电芯片封装结构及其制备方法,通过第一半导体衬底、第一晶体管层、钝化层、第一信号布线层及第一电源布线层构成背面供电逻辑芯片,且利用背面供电逻辑芯片堆栈存储芯片,有效缩小封装厚度,减小封装结构尺寸;背面供电逻辑芯片及贯穿第一晶体管层内部的金属柱,可有效缩短传输距离,减少功耗。
技术关键词
半导体衬底 布线 芯片封装结构 晶体管 电源 硅衬底 环氧树脂层 大马士革工艺 存储芯片 机械研磨法 氮化硅 氧化硅 逻辑 凸块 正面 功耗 激光