背面供电芯片封装结构及其制备方法
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背面供电芯片封装结构及其制备方法
申请号:
CN202411745748
申请日期:
2024-11-29
公开号:
CN119581347A
公开日期:
2025-03-07
类型:
发明专利
摘要
本发明提供一种背面供电芯片封装结构及其制备方法,通过第一半导体衬底、第一晶体管层、钝化层、第一信号布线层及第一电源布线层构成背面供电逻辑芯片,且利用背面供电逻辑芯片堆栈存储芯片,有效缩小封装厚度,减小封装结构尺寸;背面供电逻辑芯片及贯穿第一晶体管层内部的金属柱,可有效缩短传输距离,减少功耗。
技术关键词
半导体衬底
布线
芯片封装结构
晶体管
电源
硅衬底
环氧树脂层
大马士革工艺
存储芯片
机械研磨法
氮化硅
氧化硅
逻辑
凸块
正面
功耗
激光