一种具有突触模拟功能的整流忆阻器及其应用

本发明公开一种具有突触模拟功能的整流忆阻器及其应用，属于人工智能领域。本发明忆阻器件采用三明治结构，依次由上层Ag电极、AgI与PbI2功能层及下层ITO电极构成。本发明所述忆阻器具有整流特性，有效解决了crossbar集成中的潜行电流难题，确保了阵列中器件数据的精确读取。同时本发明在循环的电脉冲下实现良好的神经突触功能，包括双脉冲抑制、双脉冲易化、长短程记忆响应和突触权重可塑性，可模仿人脑神经突触处理和学习工作行为等。本发明首次成功地将PbI2材料应用于实现整流、存储与神经形态模拟多功能一体化集成，为神经形态模拟及人工神经网络领域的应用开辟了新的可能。