基于MOS型反熔丝击穿特性的PUF标签生成方法和验证系统
申请号:CN202411805887
申请日期:2024-12-10
公开号:CN120012173A
公开日期:2025-05-16
类型:发明专利
摘要
基于MOS型反熔丝击穿特性的PUF标签生成方法和验证系统,涉及集成电路技术。本发明的PUF标签生成方法包括下述步骤:a、采用逐渐增大的电压,对MOS型反熔丝单元进行击穿操作;b、对击穿后的MOS型反熔丝单元施加电压进行测量,记录栅电流——栅电压特征值,作为该MOS型反熔丝单元的特征信息,该MOS型反熔丝单元即成为PUF标签标签。本发明能够有效防止集成电路被仿冒、盗版,保障了产品的安全性和合法性,具有低成本和高可靠的特点。
技术关键词
标签生成方法
验证系统
特征值
电压特性曲线
集成电路技术
电流
上采样
低成本
斜坡
线性
数值
芯片