一种用于增强现实显示的集成光学芯片及其制备方法

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一种用于增强现实显示的集成光学芯片及其制备方法
申请号:CN202411818875
申请日期:2024-12-11
公开号:CN119575546B
公开日期:2025-09-09
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于增强现实显示的集成光学芯片及其制备方法,属于光电子学与显示技术领域。所述集成光学芯片包括第一端面耦合器、第二端面耦合器和第三端面耦合器,所述第一端面耦合器、第二端面耦合器和第三端面耦合器后均顺次设有2×2多模干涉耦合器、微环滤波器、1×2多模干涉耦合器、层间耦合器、薄膜铌酸锂移相器、移相器控制电极和光栅天线阵列结构;其中,所述第一端面耦合器用以将外部红色激光耦合进入芯片中,所述第二端面耦合器用以将外部蓝色激光耦合进入芯片中,所述第三端面耦合器用以将外部绿色激光耦合进入芯片中。本技术方案用以解决现有技术中的显示系统难以同时满足轻薄化、低功耗和高分辨率的要求的问题。
技术关键词
端面耦合器 集成光学芯片 天线阵列结构 层间耦合器 微环滤波器 移相器 CMP工艺 表面平坦化 CVD工艺 激光 氮化硅材料 薄膜 光栅 波导 二氧化硅 光刻胶 铌酸锂材料 硅片