降低小型存储芯片漏电的方法

本申请提供一种降低小型存储芯片漏电的方法，属于半导体芯片技术领域。该方法包括：获取待检测芯片的当前漏电数据、原始漏电数据以及功能测试数据，并建立漏电分析模型；根据原始漏电数据、当前漏电数据、预先构建的漏电分析模型以及功能测试数据，确定待检测芯片的漏电点位是否为多晶硅间距；若是，则对待检测芯片进行物理切剖以得到剖面测量结果，并确定待检测芯片中的金属硅化物的当前生长区间是否超出标定生长区间；若是，则对待检测芯片进行光罩改版优化，并对光罩改版优化结果进行流片验证，并从流片验证结果中确定目标光罩改版结果。本申请可以达到防止两根多晶硅之间的金属硅化物侧穿，以避免多晶硅间距过近导致的存储比特漏电的效果。