一种阵列发射多波束形成集成芯片及形成方法

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一种阵列发射多波束形成集成芯片及形成方法
申请号:CN202411841897
申请日期:2024-12-13
公开号:CN119766337A
公开日期:2025-04-04
类型:发明专利
摘要
一种阵列发射多波束形成集成芯片及形成方法,属于相控阵技术领域,解决大规模阵列以及同时多波束形成芯片中控制通道多、损耗较大、网络结构复杂、环境敏感和控制复杂的问题;本发明采用椭圆微环阵列对多波长光信号进行滤波分路,通过可调光延时线内的光开关控制每路信号的通断以及相控阵系统的实际需求调整延时线的延时量,能够对每个路径的光信号分别独立延时控制,能够同时实现多个发射波束的片上合成,对调制光载波激光器的捷变能力要求低,相较于现有的全延时线路径或者全微环路径,具备更加灵活的路由控制和多波束实现,提高整体芯片的集成度。
技术关键词
可调光延时线 光电探测器阵列 多波束 集成芯片 光耦合器阵列 信号 多波长 输入端 微环滤波器 载波 相控阵系统 相控阵技术 波导 光开关 输出端