半导体芯片的银纳米焊膏低温烧结装置
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半导体芯片的银纳米焊膏低温烧结装置
申请号:
CN202411849732
申请日期:
2024-12-16
公开号:
CN119609268A
公开日期:
2025-03-14
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了半导体芯片的银纳米焊膏低温烧结装置,属于半导体芯片加工技术领域,包括箱体、加热台、抽气泵、箱门、第一输气机构、第二输气机构和气体循环机构。本发明中的半导体芯片的银纳米焊膏低温烧结装置通过设置第一输气机构和第二输气机构,在烧结过程中,氮气作为保护气氛,能够避免银纳米颗粒氧化,防止焊膏表面形成氧化银等不良化合物,氧化会降低焊接接触面的导电性和粘接力,从而影响焊接质量;氢气在高温下具有还原作用,可以还原银纳米焊膏表面的已有氧化物,帮助银颗粒的焊接和融合,确保更好的焊接质量。
技术关键词
低温烧结装置
纳米焊膏
半导体芯片
输气机构
数据分析模块
箱体
储气箱
输气管
机器学习模型
加热台
氢气
生成方式
锁紧组件
银纳米颗粒
抽气泵
数据获取模块
还原作用