一种用于低分辨率场景下半导体长晶炉的晶胞检测方法
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一种用于低分辨率场景下半导体长晶炉的晶胞检测方法
申请号:
CN202411857044
申请日期:
2024-12-17
公开号:
CN119810044B
公开日期:
2025-06-27
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种用于低分辨率场景下半导体长晶炉的晶胞检测方法,涉及半导体长晶炉技术领域,包括以下步骤:预先通过全局工业相机采集晶体引晶原始图像,并对晶体引晶原始图像标定双光圈部分作为目标特征进行裁切,获取包含双光圈部分的目标图像;对目标图像分别同步进行空心检测和晶胞成型检测;输出空心检测和晶胞成型检测的检测结果,确定当前引晶阶段是否产生晶胞。本发明有助于更准确的判断晶胞的状态,能够自动化的检测晶胞,减轻人工负担,实现检测的准确性和效率以及可靠性。
技术关键词
轮廓
线条
半导体长晶炉
光圈
二值化图像
多边形
工业相机
场景
晶体
图像分割
阶段
黑色
负担