基于硅基GaN光电子集成芯片的片上光通信装置
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基于硅基GaN光电子集成芯片的片上光通信装置
申请号:
CN202411888796
申请日期:
2024-12-20
公开号:
CN119966519A
公开日期:
2025-05-09
类型:
发明专利
摘要
本发明涉及一种基于硅基GaN光电子集成芯片的片上光通信装置。所述基于硅基GaN光电子集成芯片的片上光通信装置包括主处理结构、发射结构、接收结构和硅基GaN光电子集成芯片;主处理结构包括编码电路、调制电路、解码电路和解调电路;发射结构连接主处理结构;硅基GaN光电子集成芯片连接发射结构和接收结构,包括光发射器、光接收器和第一光波导;接收结构连接主处理结构和硅基GaN光电子集成芯片。本发明扩展了光通信技术的应用领域,片上集成的方式也有助于改善光通信的质量,从而实现对光通信装置性能的改善。
技术关键词
光电子集成芯片
光通信装置
光波导
光接收器
光发射器
编码电路
解调电路
解码电路
调制电路
发光二极管
光信号
切换开关
跨阻放大器
调制器
运算放大器
基底
驱动信号
电信号
光通信技术
隔离沟槽