HfAlOx/石墨烯/HfAlOx异质结相位调制器、制备方法及相位调制方法
申请号:CN202411929141
申请日期:2024-12-25
公开号:CN119805795B
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种HfAlOx/石墨烯/HfAlOx异质结相位调制器、制备方法及相位调制方法,该HfAlOx/石墨烯/HfAlOx异质结,采用HfAlOx作为介质材料,与石墨烯形成良好的异质结结构。HfAlOx具有较高的介电常数和良好的稳定性,能够有效地调控石墨烯的电学性质,同时避免了石墨烯与金属直接接触时的费米能级钉扎效应,提高了相位调制的效率和灵活性。整个结构长度仅800nm,远小于中红外波段的自由空间波长,实现了亚波长操作。这种小尺寸结构有利于器件的高度集成化和小型化,可应用于高密度光集成芯片、微型光传感器等领域,有助于提高系统的集成度和便携性。
技术关键词
物理气相沉积方法
金属电极层
相位调制器
SOI基底
异质结
相位调制方法
生长石墨
电子束光刻技术
聚甲基丙烯酸甲酯
介质
控制电子束电流
电子束光刻设备
石墨烯薄膜
原子层沉积技术
电子束光刻胶
光集成芯片
机械抛光技术