HfAlOx/石墨烯/HfAlOx异质结相位调制器、制备方法及相位调制方法

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HfAlOx/石墨烯/HfAlOx异质结相位调制器、制备方法及相位调制方法
申请号:CN202411929141
申请日期:2024-12-25
公开号:CN119805795B
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种HfAlOx/石墨烯/HfAlOx异质结相位调制器、制备方法及相位调制方法,该HfAlOx/石墨烯/HfAlOx异质结,采用HfAlOx作为介质材料,与石墨烯形成良好的异质结结构。HfAlOx具有较高的介电常数和良好的稳定性,能够有效地调控石墨烯的电学性质,同时避免了石墨烯与金属直接接触时的费米能级钉扎效应,提高了相位调制的效率和灵活性。整个结构长度仅800nm,远小于中红外波段的自由空间波长,实现了亚波长操作。这种小尺寸结构有利于器件的高度集成化和小型化,可应用于高密度光集成芯片、微型光传感器等领域,有助于提高系统的集成度和便携性。
技术关键词
物理气相沉积方法 金属电极层 相位调制器 SOI基底 异质结 相位调制方法 生长石墨 电子束光刻技术 聚甲基丙烯酸甲酯 介质 控制电子束电流 电子束光刻设备 石墨烯薄膜 原子层沉积技术 电子束光刻胶 光集成芯片 机械抛光技术