半导体结构及其形成方法、电子设备

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半导体结构及其形成方法、电子设备
申请号:CN202411930232
申请日期:2024-12-25
公开号:CN119725121A
公开日期:2025-03-28
类型:发明专利
摘要
一种半导体结构及其形成方法、电子设备,半导体结构的形成方法中,在晶圆上形成第一图形定义层,第一图形定义层具有露出第一焊盘和第二焊盘的凹槽结构,在第一图形定义层上形成种子结构和凸块结构,凸块结构形成在凹槽结构上,种子结构连接相邻凸块结构,从而各个凸块结构呈短路状态。因此,在对凸块结构进行热回流处理的步骤中,以及将晶圆的多个芯片区相分离的步骤中,即使在半导体结构中产生了静电,种子结构作为电流回路可以中和静电,将静电去除,避免静电损坏晶圆。此外,在将晶圆分成多个芯片后,去除种子结构,实现了在需要防静电的工艺阶段保留种子结构,在不需要防静电的工艺阶段去除种子结构的目的,有利于芯片顺利进行后续的测试。
技术关键词
半导体结构 凸块结构 凹槽结构 掩膜 定义 芯片 晶圆 种子层 湿法刻蚀工艺 干法刻蚀工艺 电子设备 防静电 焊盘 阶段 框架 短路 回路 电流