一种减反射膜、超晶格半导体芯片和GaSb芯片和焦平面探测器

本发明涉及半导体芯片光学薄膜领域，具体是一种减反射膜、超晶格半导体芯片和GaSb芯片和焦平面探测器。本发明提供的减反射膜具有超低红外反射率，非常适用应用于半导体芯片的制造，特别是探测器用半导体芯片的制造。本发明所述的GaSb芯片以超晶格半导体GaSb材料为衬底，通过在所述GaSb衬底上设置本发明所述的八层减反射膜，所得到的GaSb芯片具有超低红外长波波段反射率，特别是在红外长波波段下，具体是在7.2 μm~9.5 μm的红外长波波段下，平均反射率低于0.41%。