半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在解决半导体器件动态特性差的问题。半导体器件包括衬底、势垒层、帽层、第一钝化层、抗氧化层及第二钝化层。势垒层设于所述衬底之上。帽层位于所述势垒层远离所述衬底的一侧。第一钝化层位于所述势垒层远离所述衬底的一侧。抗氧化层位于所述第一钝化层远离所述衬底的一侧。第二钝化层位于所述抗氧化层远离所述衬底的一侧。