一种花状VCSEL芯片及其制备方法

本发明公开了一种花状VCSEL芯片及其制备方法，其涉及VCSEL芯片技术领域，旨在解决目前VCSEL芯片的结构上基本一致，但是相同的结构和形状不利于VCSEL芯片中电流注入效率，降低了整体的工作效率的问题，其技术方案要点是包括N型衬底，所述N型衬底上端固定连接有缓冲层，所述缓冲层上端固定连接有N‑DBR层，所述N‑DBR层上端固定连接有N型掺杂层，所述N型掺杂层上端固定连接有有源区层，所述有源区层上端固定连接有P型掺杂层，所述P型掺杂层上端固定连接有氧化孔径层，所述氧化孔径层上端固定连接有P‑DBR层，所述P‑DBR层上端固定连接有欧姆接触层。达到了各电极相互独立，能够通过调控各电极的电流及工作时序的效果。