一种低电感碳化硅功率模块
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一种低电感碳化硅功率模块
申请号:
CN202411973242
申请日期:
2024-12-30
公开号:
CN119833507B
公开日期:
2025-12-19
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种低电感碳化硅功率模块,包括大面积的电流规划互连结构与极短路径的端子直连电容结构,通过大面积的电流规划互连结构与陶瓷基板的导电线路之间的互感大幅降低碳化硅功率模块内部的寄生电感,同时利用端子直连电容结构,缩短了从功率模块内部端子引出位置到达外部电容的路径长度,降低了碳化硅功率模块外部连接电路的寄生电感,从而降低了整个换流回路的寄生电感,抑制了开关电压过冲与震荡,降低了工作损耗。
技术关键词
碳化硅功率模块
互连结构
回路结构
功率半导体芯片
功率端子
规划
电感
电容结构
电流
衬底
端接头
导电线路
陶瓷基板
电路板