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集成芯片
申请号:
CN202421332303
申请日期:
2024-06-12
公开号:
CN222851430U
公开日期:
2025-05-09
类型:
实用新型专利
摘要
本实用新型提供一种集成芯片,包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体衬底。第一晶体管和第二晶体管沿着半导体衬底的第一侧。包括多个介电层的介电结构位于半导体衬底的第一侧下方。第一金属线在介电结构内。第二金属线在介电结构内且在第一金属线下方。第一金属通孔在第一金属线和第二金属线之间延伸。衬底通孔从半导体衬底的第二侧延伸,穿过第一晶体管和第二晶体管之间的半导体衬底,到达第一金属线和第二金属线。
技术关键词
金属线
半导体衬底
介电结构
集成芯片
晶体管
浅沟渠隔离
保护环结构
通孔
介电层
金属栅极