一种功率器件芯片互连结构及功率器件

本实用新型属于半导体芯片技术领域，是关于一种功率器件芯片互连结构及功率器件，其包括：覆铜陶瓷基板和芯片，芯片连接于覆铜陶瓷基板上；所述覆铜陶瓷基板包括覆铜陶瓷基板陶瓷层，所述芯片连接于第一连接铜层上；还包括合金连接片，所述合金连接片的一端与芯片的上表面金属电极区相连接，合金连接片的另一端与覆铜陶瓷基板的第一连接铜层的预设区域相连接。采用上述结构后，其有益效果是：合金连接片为铜钼铜片，铜钼铜片与芯片的上表面金属电极区的接触面积增大，能避免上表面金属电极区上的电流密度过度集中，降低了上表面金属电极区的温度，进而减轻了铜钼铜片与上表面金属电极区的热应力。