一种氮化镓半桥表贴封装结构

AITNT-国内领先的一站式人工智能新闻资讯网站
# 热门搜索 #
一种氮化镓半桥表贴封装结构
申请号:CN202421862700
申请日期:2024-08-02
公开号:CN222927503U
公开日期:2025-05-30
类型:实用新型专利
摘要
一种氮化镓半桥表贴封装结构,包括上桥芯片、下桥芯片、输出电极、输入正电极、输入负电极、上桥栅极控制电极、下桥栅极控制电极和基板,下桥芯片下方与基板固定连接,所述下桥芯片上方通过下桥锡珠分别与输出电极、下桥栅极控制电极、输入负电极相连,所述上桥芯片下方通过上桥锡珠分别与电极输出电极、上桥栅极控制电极、输入正电极相连。通过将芯片放置为上下结构,输入正负极设置为叠层结构,使整体的封装结构更加紧凑,以及杂散电感、分布电阻更小,电性能稳定性及封装稳定性高。
技术关键词
封装结构 芯片 正电极 栅极 杂散电感 叠层结构 基板 合金材料 绝缘板 焊料 电气 包裹 电阻