一种用于大功率封装的芯片结构

一种用于大功率封装的芯片结构及其制备方法，本实用新型涉及功率半导体器件领域，提出一种应用于大功率应用的氮化镓功率器件结构，该器结构具有厚金属基底以及厚金属的顶部可焊层金属层，因此具有良好的散热性能和更优的器件可靠性；本实用新型还提出一种氮化镓功率器件的外围结构，能防止芯片切割时候产生的崩裂，提高器件的可靠性。