一种肖特基层结构、芯片以及二极管
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一种肖特基层结构、芯片以及二极管
申请号:
CN202422733628
申请日期:
2024-11-11
公开号:
CN223379521U
公开日期:
2025-09-23
类型:
实用新型专利
摘要
本申请提供一种肖特基层结构、芯片以及二极管,包括主体段和外延段,所述主体段和所述外延段一体构造为“π”形结构。本申请一种肖特基层结构,重新设计一种“π”形结构的肖特基层,使其边缘延长,不仅可保护势垒区最薄弱且容易击穿的地方,而且还能保证其主体段的整流效果。本申请还提出的具有该肖特基层结构的芯片,使得该肖特基层的边缘端延长至沟槽的中线位置处,从而可保护势垒区最薄弱的边缘位置,提高芯片质量且保证其性能参数。
技术关键词
肖特基
芯片
外延片
二极管
沟槽宽度
沟槽深度
PN结
直线段
氧化层
曲面
弯曲
正面