一种基于中子衍射测试单晶叶片残余应力的样品控制方法

本发明公开了一种基于中子衍射测试单晶叶片残余应力的样品控制方法，涉及材料力学检测与控制技术领域，该方法包括：S1、通过激光扫描臂标定确定单晶叶片待测试点坐标和中子衍射中心点坐标，根据待测试点坐标和中子衍射中心点坐标，控制六自由度机器臂各轴运动，将单晶叶片待测试点移动至中子衍射中心点；S2、通过调节六自由度机器臂各轴运动，使单晶叶片绕待测试点、以衍射矢量为轴进行φ、ψ旋转，实现晶面取向调整；S3、根据确定的单晶叶片待测点坐标及各晶面的空间方位角，利用中子衍射法实现单晶叶片残余应力测试。本发明所提供的方法能够准确实现异形单晶叶片测试点位置及测试晶面取向定位，进而获得异形单晶叶片内部三维残余应力分布。