一种碳化硅MOSFET的浪涌性能测试方法

本申请涉及半导体器件测试技术领域，具体涉及一种碳化硅MOSFET的浪涌性能测试方法，包括：在不同浪涌电流峰值下对碳化硅MOSFET进行浪涌性能测试，获取各源漏电压向量；提取源漏电压向量的各IMF模态分量，分析各IMF模态分量的无规则复杂度，并根据各IMF模态分量内的突变点确定时域干扰度，通过各IMF模态分量在频域中的特征得到频域干扰度，计算各IMF模态分量的时频干扰度，筛选源漏电压向量中的目标分量，利用小波融合算法进行波形重构，通过对各源漏电压重构波形的对比，得到碳化硅MOSFET的最大浪涌电流。本申请可提高碳化硅MOSFET的浪涌性能测试结果准确性。