一种独立像元的红外焦平面器件及其制备方法
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一种独立像元的红外焦平面器件及其制备方法
申请号:
CN202510027850
申请日期:
2025-01-08
公开号:
CN120035239A
公开日期:
2025-05-23
类型:
发明专利
摘要
本发明属于半导体技术中的红外焦平面探测器制备技术领域,具体公开一种独立像元的红外焦平面器件及其制备方法,在半导体材料上制作金属电极并生长铟柱,通过高精度倒焊机将其与相同规模的硅读出电路连接起来,使用环氧胶将其缝隙填充,再将半导体材料减薄抛光,把每个像元刻蚀分开后进行钝化处理,开窗口,制作透明导电电极,本发明中所有像元完全独立分开设置,能够大幅降低半导体焦平面阵列的结构应力、减小芯片在制冷时产生的裂纹,并减小像元间串音,为低成本、高效率地制备大规模小像元的红外焦平面探测器奠定基础。
技术关键词
红外焦平面器件
硅读出电路
红外焦平面芯片
红外焦平面探测器
透明电极
制作金属电极
光刻
半导体材料
超晶格材料
透明导电电极
阵列
铟柱
高效率地
抛光
规模
石墨烯