一种单晶拉制温度控制方法、装置及存储介质

本发明涉及单晶硅生产技术领域，公开了一种单晶拉制控制方法、装置及存储介质，其中方法包括如下步骤：利用群智算法，根据单晶拉制历史数据，求解损失率最低的温度设定值序列；利用单晶拉制历史数据，训练单晶拉制温度控制策略模型；利用单晶拉制温度控制策略模型求解温度控制策略，使单晶炉内的温度按照温度设定值序列变化；根据温度控制策略对加热系统和冷却系统进行闭环控制。该方法可以提高单晶硅的成品率，并提高对单晶炉内的温度的控制质量，提高生产出来的单晶硅的质量的均匀性。该方法可以避免生产出来的单晶硅的质量受制于操作人员的经验，可以稳定地控制生产出来的单晶硅的质量。