具有与栅极切口插塞连续的鳍状物隔离区域的集成电路结构

描述了具有与栅极切口插塞连续的鳍状物隔离区域的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括处于第一子鳍状物之上的水平纳米线的垂直堆叠体或鳍状物。栅极结构在所述水平纳米线的垂直堆叠体或所述鳍状物之上，并且在所述第一子鳍状物上。电介质结构与所述栅极结构横向间隔开。所述电介质结构不在沟道结构之上，但在第二子鳍状物上。栅极切口在所述栅极结构与所述电介质结构之间。电介质栅极切口插塞在所述栅极切口中。所述电介质栅极切口插塞与所述电介质结构连续。