一种高温超导量子电压芯片及其制备方法

本发明公开了高温超导量子电压技术领域，尤其涉及一种高温超导量子电压芯片，包括约瑟夫森结阵列，所述约瑟夫森结阵列包括若干约瑟夫森结，所述约瑟夫森结包括具有不同晶体取向区域的多晶基片、分布在所述多晶基片上不同晶体取向区域表面的第一超导元件和第二超导元件，所述第一超导元件一端与所述第二超导元件一端通过微桥接触连接，所述第一超导元件、第二超导元件和微桥由在多晶基片上表面一次外延生长的高温超导薄膜组成。本发明所制备的高温超导量子电压芯片，只需要一次外延生长二维薄膜形成高温超导约瑟夫森结阵列，在结构上极大地简化了集成工艺，特性一致性好，成品率高，能够在高温下工作、小型化和易于移植，实现电压实时校准。