外腔半导体激光器阵列结构

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外腔半导体激光器阵列结构
申请号:CN202510062751
申请日期:2025-01-15
公开号:CN119890910B
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种外腔半导体激光器阵列结构,涉及半导体激光器技术领域,用以解决常规散热方式难以满足外腔半导体激光器及其阵列的散热需求和热串扰问题,进而限制外腔半导体激光器及其阵列的输出功率和功率应用的技术问题。该结构包括:激光芯片,用于提供光增益;外腔反射镜,与激光芯片共同形成外部谐振腔,用于提供光反馈;外腔冷却液,填充于激光芯片和外腔反射镜之间,用于吸收激光芯片在工作过程中产生的热量;其中,外腔冷却液在激光器发射波长下的折射率与外部谐振腔的腔长相匹配,使得外部谐振腔能够满足谐振条件,从而实现激光输出。
技术关键词
分布式布拉格反射层 外腔半导体激光器 谐振腔 反射率 反射镜 冷却液 芯片 阵列结构 半导体激光器技术 波长 衬底 有源区 光学元件 光强 真空