一种应用于TEM原位实验芯片的温度场下电极制备方法

本发明提供一种应用于透射电子显微镜原位实验芯片的温度场下电极制备方法，包括：步骤S1、获取初始功能芯片，暴露初始功能芯片的核心工作单元，并至少在所述核心工作单元正上方沉积硬掩膜；步骤S2、基于沉积硬掩膜的核心工作单元的截面区域制备微型薄片，并将所述微型薄片转移到预设加工单元，刻蚀所述微型薄片；步骤S3、制备沉积电极，通过沉积电极进行电学回路连接；步骤S4、冷却所述刻蚀后的微型薄片，并在所述刻蚀后的微型薄片周围沉积保护层，完成制备。本发明提供的制备方法能够保证电极连接的电学性能，并避免芯片损坏。