一种LPDDR芯片的动态电压确定方法、系统、装置及存储介质

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一种LPDDR芯片的动态电压确定方法、系统、装置及存储介质
申请号:CN202510082276
申请日期:2025-01-20
公开号:CN119517137B
公开日期:2025-09-09
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种LPDDR芯片的动态电压确定方法、系统、装置及存储介质,方法包括:获取LPDDR芯片的制程参数;根据所述制程参数确定参数类型,所述参数类型表征所述制程参数的类型;根据所述参数类型和预设数据表确定LPDDR芯片的DVFSC模式;根据所述DVFSC模式、所述预设数据表和所述制程参数确定LPDDR芯片的动态电压。本申请能够有效弥补现有方法的不足,通过LPDDR芯片的制程参数,确定LPDDR芯片的DVFSC模式,从而计算得到DVFSC模式下的动态电压,因此在DVFSC模式为低频模式时,能够计算相应的动态电压,提高LPDDR芯片工作的稳定性。
技术关键词
LPDDR芯片 制程 电压 模式 条目 动态 存储器测试装置 电学性能参数 物理性能参数 处理器 晶体管 程序 可读存储介质 模块 元件 计算机