芯片制造用氧化炉控制参数优化方法及相关设备

本申请公开了一种芯片制造用氧化炉控制参数优化方法及相关设备，涉及半导体生产制造技术领域，所述芯片制造用氧化炉控制参数优化方法，包括：获取晶圆氧化过程中的传感器参数；将所述传感器参数输入预设的氧化预测模型，确定晶圆氧化预测结果，其中，所述氧化预测模型是由历史传感器数据样本及晶圆氧化结果标签对预设的待训练模型进行训练得到的；根据所述晶圆氧化预测结果，动态调整氧化炉控制参数。本申请通过调整控制参数，减少由于氧化不均匀导致的缺陷，提升晶圆的合格率。氧化预测模型可以帮助避免过氧化或不足氧化等缺陷，提高晶圆的质量。通过精准预测和动态调整，有效控制晶圆的氧化过程，从而提高晶圆的氧化过程的良率。