一种用于超混沌电路的设计方法

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一种用于超混沌电路的设计方法
申请号:CN202510088536
申请日期:2025-01-20
公开号:CN120068749A
公开日期:2025-05-30
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种用于超混沌电路的设计方法,根据磁控忆感器和磁控忆阻器的特征,构建对应的具有超混沌特性的磁控忆感器模型和磁控忆阻器模型;根据所构建的磁控忆感器模型和磁控忆阻器模型,构建忆感‑忆阻混合超混沌电路模型;以及对所构建的忆感‑忆阻混合超混沌电路模型进行非线性动力学行为分析,以确定忆感‑忆阻混合超混沌电路的结构及电路元件参数对所述忆感‑忆阻混合超混沌电路的影响。本发明为信息处理和通信等领域提供了具有更高安全性和复杂性的电路解决方案。
技术关键词
超混沌电路 磁控忆阻器 磁控忆感器模型 非线性动力学 超混沌特性 Lyapunov指数 参数 非暂态计算机可读存储介质 忆感器磁通 元件 数值仿真 处理器 分析工具 信息处理 电感值 电流 电压 变量