一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

申请号：CN202510088866

申请日期：2025-01-21

公开号：CN119521893A

公开日期：2025-02-25

类型：发明专利

摘要

本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，其中倒装发光二极管芯片的制备方法包括：提供一生长所需的衬底，在衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层；制备N型导电通孔以及隔离道；制备电流扩展层；制备切割道；制备第一绝缘层以及第一绝缘层通孔；制备P型导电金属层；制备第二绝缘层以及第二绝缘层通孔；制备N型导电金属层；制备第三绝缘层以及第三绝缘层通孔；制备N型焊盘以及P型焊盘。

技术关键词

倒装发光二极管芯片导电金属层电流扩展层半导体层通孔电感耦合等离子体 P型焊盘 SiO2薄膜有源发光层负性光刻胶刻蚀工艺涂布光刻胶表面涂布氧化铟锡表面显影工艺 Al2O3薄膜电子束