一种DLC辅助应力释放GaN/金刚石的集成方法

申请号：CN202510089480

申请日期：2025-01-21

公开号：CN119890032B

公开日期：2025-10-17

类型：发明专利

摘要

本发明公开了一种DLC辅助应力释放GaN/金刚石的集成方法，包括样品预处理、制备DLC辅助层、制备GaN/金刚石的散热模块以及抛磨Si/DLC辅助层得到完整的GaN/金刚石模块。本发明的有益效果是：在生长金刚石外延层的过程中，使用石墨毡覆盖包裹DLC辅助层，保温并产生热量梯度，以辅助GaN进行应力释放，提高GaN的稳定性和GaN/金刚石模块的成品率。

技术关键词

集成方法芯片保护膜 AlN缓冲层抛光液配方抛光布耐高温石墨应力释放层气相沉积方法金刚石粉末抛磨设备散热模块金属有机化学气相沉积常温常压衬底 GaN层超声清洗装置 DLC薄膜微波等离子体

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