一种DRAM通信和存储优化方法及相关装置

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一种DRAM通信和存储优化方法及相关装置
申请号:CN202510102888
申请日期:2025-01-22
公开号:CN120011257A
公开日期:2025-05-16
类型:发明专利
摘要
本申请属于一种存储优化方法,针对现有DRAM通信和存储管理方法存在DRAM带宽平衡差,限制系统整体性能的技术问题,提供一种DRAM通信和存储优化方法及相关装置,在层融合相关属性确定的条件下,通过模拟退火算法在DRAM张量访问顺序和DRAM张量存活时长中搜索与层融合相关属性对应的DRAM张量,作为最优解,层融合相关属性包括计算粒度和顺序、片上重用张量的缓冲区占用情况,以及需要与DRAM进行交互的张量。然后使DRAM根据最优解进行通信和存储。进而实现对张量的合理预先读取和延后存储,实现DRAM带宽平衡。
技术关键词
存储优化方法 模拟退火算法 输出特征 计算机程序代码 存储优化系统 存储管理方法 可读存储介质 神经网络模型 处理器 电子设备 存储器 存储模块 分块 指令 速率