一种缺陷表面漏磁场信号的U-Net神经网络分析方法
申请号:CN202510114796
申请日期:2025-01-24
公开号:CN120012509A
公开日期:2025-05-16
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种缺陷表面漏磁场信号的U‑Net神经网络分析方法,包括以下步骤;步骤一:建立U‑Net神经网络训练所需的磁导率分布与漏磁场数据集;步骤二:对磁导率分布与漏磁场数据集进行旋转、裁剪和标准化,得到处理后的数据集;步骤三:基于处理后的数据集,构建以磁导率数据为输入,磁场分布的y向分量为输出的U‑Net模型;步骤四:采用RMSProp优化器对U‑Net模型进行训练,并保存权重;步骤五:使用步骤四中保存的权重预测测试集的磁场分布,并采用结构相似性评价预测结果的准确性。本发明通过多层U‑Net卷积的叠加扩大感受野,使算法能够识别和学习复杂特征,实现对磁场分布的有效预测,进而大幅提升了算法的性能和可靠性。
技术关键词
分析方法
通道注意力机制
神经网络训练
漏磁检测系统
直观展示模型
深度学习神经网络
卷积模块
上采样
图像
采样模块
生成训练数据
磁通量密度
描述符
模型预测值
漏磁信号
非线性特征