交替型裸芯片晶圆

AITNT-国内领先的一站式人工智能新闻资讯网站
# 热门搜索 #
交替型裸芯片晶圆
申请号:CN202510124090
申请日期:2025-01-26
公开号:CN119997710A
公开日期:2025-05-13
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种交替型裸芯片晶圆,其包括:衬底;多个第一裸芯片列,其中每个第一裸芯片列包括在衬底上布置在一列中的多个第一裸芯片;多个第二裸芯片列,其中每个第二裸芯片列包括在衬底上布置在一列中多个第二裸芯片,并且第一裸芯片列与第二裸芯片列交替布置,其中第一和第二裸芯片的结构不同。通过本发明,可以在同一晶圆上制作不同的裸芯片。
技术关键词
晶圆 叠层 布线 衬底 外延 微型发光二极管 台面 发光二极管芯片 氮化硅 尺寸 硼磷硅玻璃 电极 多量子阱层 导电 电子阻挡层 二氧化硅 发光层