背侧交叉耦合互连

本文提供了用于形成集成电路的技术，该集成电路具有耦合在不同晶体管元件之间(例如，在源极或漏极区域和/或栅极结构之间)的背侧互连结构。背侧互连结构可以用于替换前侧局部互连结构，从而释放前侧互连区域中的更多空间。在一个这样的示例中，第一半导体器件包括从第一源极或漏极区域延伸的第一半导体区域和在第一半导体区域之上延伸的第一栅极结构，并且第二半导体器件包括从第二源极或漏极区域延伸的第二半导体区域和在第二半导体区域之上延伸的第二栅极结构。导电结构耦合在第一源极或漏极区域、第二源极或漏极区域和第一栅极结构的一部分中的每一者的底表面之间。