一种空洞缺陷TSV等效电路的建模方法

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一种空洞缺陷TSV等效电路的建模方法
申请号:CN202510146324
申请日期:2025-02-10
公开号:CN120124566A
公开日期:2025-06-10
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种空洞缺陷TSV等效电路的建模方法,解决了现有技术中不能更加精确的捕捉到高频下寄生效应的分布特征的问题,该方法包括:设计空洞缺陷TSV结构;建立空洞缺陷TSV的分布式等效电路模型;根据空洞缺陷TSV等效电路模型中各元器件参数的计算公式确定空洞缺陷TSV的高度和厚度,得到空洞缺陷TSV;分别对空洞缺陷TSV和分布式等效电路模型进行仿真,对空洞缺陷TSV仿真结果和分布式等效电路模型仿真结果进行判断,并根据判断结果调整空洞缺陷TSV中空洞缺陷的大小和位置,输出最终的空洞缺陷TSV;实现了更加精确地捕捉到高频下寄生效应的分布特性,更准确地描述空洞缺陷TSV的特性。
技术关键词
空洞缺陷 等效电路模型 建模方法 衬底层 衬底电容 电阻 导电 电感 趋肤深度 分布特征 空气腔 真空 效应 元器件 误差 长方体 半导体