非牛顿流体芯片散热器的三层热流耦合模型及其设计方法
申请号:CN202510150560
申请日期:2025-02-11
公开号:CN120086912A
公开日期:2025-06-03
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种非牛顿流体芯片散热器的三层热流耦合模型及其设计方法,包括以下步骤:根据芯片的实际工况,确定散热器设计过程中的热源施加方式、环境参数以及边界条件,并确定散热器的结构尺寸参数;采用幂律型非牛顿流体作为芯片散热器的冷却剂;构建非牛顿流体芯片散热器的三层热流耦合模型;根据芯片散热器的性能需求,确定优化问题的目标函数,构建芯片散热器的三层拓扑优化模型;对所述芯片散热器的三层拓扑优化模型进行迭代优化,得到优化后的二维通道结构;将优化后的二维通道结构拉伸成为三维流道,并将所述三维流道与底板和顶板组合,得到非牛顿流体芯片散热器,该方法设计的散热器的散热效率较高。
技术关键词
芯片散热器
非牛顿流体
二维通道结构
中间层
二维温度场
结构尺寸参数
方程
二维速度场
冷却剂
顶板
导热
热源
底板
流道
工况
代表