摘要
本发明公开了一种Micro‑LED芯片流磁自组装方法及装置,属于半导体技术领域,步骤为:制造RGB三种不同形状尺寸的LED芯片;在芯片引脚层施加2‑5μm的铁氧体磁粉层,并对芯片进行充磁;在转移玻璃基板上开设凹槽,每个像素点对应RGB三种LED芯片的三个凹槽;移动磁针使其针尖正对基板凹槽的正下方,并调整磁针与基板的高度;将芯片下落到流场池中,使芯片在溶剂中完全浸润;通过磁针抓取对应芯片进入相应凹槽,并开启流场对芯片姿态进行微调;调整磁针位置与流场流速,保留凹槽内的芯片并冲走多余芯片;取出基板并烘干固定,完成转移。本发明采用上述方法,能够一次性准确转移大量的Micro‑LED芯片,实现了自组装,提高了转移效率,结构简单,降低了转移成本。