VCSEL芯片及电子设备

本发明涉及激光器芯片技术领域，特别涉及一种VCSEL芯片及电子设备，其包括衬底和在衬底上依次生长的第一DBR层、有源层、第二DBR层和第三DBR层，第二DBR层的表面具有至少一凹槽，第一氧化层设置在第二DBR层内，第一氧化层具有第一氧化孔，第二DBR层的侧壁在衬底上的垂直投影点与第三DBR层的侧壁在衬底上的垂直投影点重合，从有源层发出的光子在凹槽处形成第一共振波，从有源层发出的光子在非凹槽处形成第二共振波，第一共振波的波长小于第二共振波的波长，第一DBR层的掺杂类型和第二DBR层不同，第二DBR层的掺杂类型和第三DBR层相同。借此设置，该VCSEL芯片能够产生稳定的内部光子共振，提升VCSEL芯片的带宽性能，解决高速光通讯应用带宽不足的问题。