一种用于光刻掩模优化的梯度计算方法和系统
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一种用于光刻掩模优化的梯度计算方法和系统
申请号:
CN202510166374
申请日期:
2025-02-14
公开号:
CN119689777B
公开日期:
2025-10-21
类型:
发明专利
摘要
本申请属于光刻掩模优化领域,具体公开了一种用于光刻掩模优化的梯度计算方法和系统。通过本申请,借助于伴随方法,将掩模吸收层的衍射场在空间上展开,避免了电场之间的强干涉和波动,从而可以使用三维衍射场的一个二维切片计算梯度,此时不必保存整个三维衍射场,仅需保存几个二维切片,因此,极大节省了计算资源。同时,本申请对各步骤具体使用的算法无限定要求,实现算法的解耦。
技术关键词
计算方法
光刻掩模
切片
伴随方法
多层膜反射
材料介电常数
存储器
电场
程序
图案
处理器
算法
元素
晶圆
变量
成像
矩阵
定义