一种用于光刻掩模优化的梯度计算方法和系统

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一种用于光刻掩模优化的梯度计算方法和系统
申请号:CN202510166374
申请日期:2025-02-14
公开号:CN119689777B
公开日期:2025-10-21
类型:发明专利
摘要
本申请属于光刻掩模优化领域,具体公开了一种用于光刻掩模优化的梯度计算方法和系统。通过本申请,借助于伴随方法,将掩模吸收层的衍射场在空间上展开,避免了电场之间的强干涉和波动,从而可以使用三维衍射场的一个二维切片计算梯度,此时不必保存整个三维衍射场,仅需保存几个二维切片,因此,极大节省了计算资源。同时,本申请对各步骤具体使用的算法无限定要求,实现算法的解耦。
技术关键词
计算方法 光刻掩模 切片 伴随方法 多层膜反射 材料介电常数 存储器 电场 程序 图案 处理器 算法 元素 晶圆 变量 成像 矩阵 定义