优化下电极结构的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片及其制备方法

本发明提供了一种优化下电极结构的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片及其制备方法，属于红外探测器制备技术领域；解决了焦平面阵列中间和边缘位置的像元和下电极距离不等，响应均匀性差的问题；采用的技术方案为：包括多个在焦平面阵列上阵列排布的单元，每个单元包括至少一个下电极和由至少三个上电极组成的上电极阵列，所述下电极位于上电极阵列的中心位置；本发明应用于大面阵、小像元的红外探测器制备。