闪存芯片测试方法

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闪存芯片测试方法
申请号:CN202510181865
申请日期:2025-02-18
公开号:CN120089179B
公开日期:2025-12-05
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种闪存芯片测试方法,该方法包括:提供多个闪存芯片;对多个闪存芯片进行擦除操作时的动态功耗测试,得到对应各闪存芯片的功耗值;根据多个闪存芯片的功耗值进行离群统计,确定离群闪存芯片;剔除离群闪存芯片。本申请方案可以在良率测试阶段将存在一些工艺缺陷的闪存芯片剔除,保证流入终端用户的闪存芯片质量。
技术关键词
闪存芯片测试方法 功耗 存储单元阵列 分栅式闪存单元 动态 存储结构 隧穿氧化层 位线 电源 衬底 电流 电压 编程 逻辑 矩阵 参数