一种高效散热大功率射频芯片多层堆叠结构及制备方法
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一种高效散热大功率射频芯片多层堆叠结构及制备方法
申请号:
CN202510188588
申请日期:
2025-02-20
公开号:
CN119993931B
公开日期:
2025-07-29
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种高效散热大功率射频芯片多层堆叠结构及其制备方法;该结构自下而上依次包括基底层结构、第一有源器件层、第一金属互连层、散热缓冲层、第二有源器件层、第二金属互连层以及顶层散热结构;其中,散热缓冲层采用相变材料填充的微通道结构,实现温度主动调控;顶层散热结构采用石墨烯‑微针阵列复合设计,具有可切换的散热模式;该结构显著提高了大功率射频芯片的散热效率,改善了器件可靠性,降低了散热结构对射频性能的影响,适用于5G通信等高频大功率应用场景。
技术关键词
多层堆叠结构
金属互连层
射频芯片
金属基板
垂直互连通道
相变材料
散热结构
大功率
基底层结构
表面微沟槽
电化学抛光方法
射频收发器芯片
电源分布网络
微通道结构
多层金属布线
多层金属薄膜
电磁屏蔽墙
沟槽结构
激光刻蚀工艺
射频功率放大器