一种具有背侧超结结构的碳化硅半导体器件及其制备工艺

本发明涉及半导体技术领域，特别是一种具有背侧超结结构的碳化硅半导体器件及其制备工艺，获取制备过程中各预设时间节点超结结构的制备工艺精度权重值；基于高斯拟合算法对各预设时间节点超结结构的制备工艺精度权重值进行拟合处理，获取各预设时间节点超结结构的制备工艺精度权重值的高斯拟合曲线图；根据所述高斯拟合曲线图对超结结构的制备工况状态进行分析，根据超结结构的制备工况状态对超结结构进行制备工艺优化处理。本发明显著能够有效提高超结结构制备工艺的精度和一致性，确保超结结构器件的高质量制备，同时降低了生产成本和不良率。