一种基于YOLOv8和RT-DETR的晶片缺陷检测方法

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一种基于YOLOv8和RT-DETR的晶片缺陷检测方法
申请号:CN202510200601
申请日期:2025-02-24
公开号:CN120147240A
公开日期:2025-06-13
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于YOLOv8和RT‑DETR的晶振片表面缺陷检测方法,包括:S1、采集数据:使用高分辨率和高速摄像机获取大量晶振片表面的图像;S2、预处理数据:对采集的图像数据进行预处理,包括图像去噪、灰度化、图像增强操作,使用Labelme手动对缺陷区域进行标注;标注完毕后将数据集以70%,20%,10%的比例分别划分为训练集,验证集和测试集;S3、训练模型:利用处理后的数据集、标注数据和预训练权重文件,分别在YOLOv8和RT‑DETR深度学习框架中进行模型训练,通过更换和改进激活函数优化模型性能,得到训练好的权重文件;S4、检测与精确定位缺陷。本发明运用双模型融合,首次提出将YOLOv8与RT‑DETR模型结合,提升检测精度与速度。
技术关键词
表面缺陷检测方法 晶振片 晶片缺陷检测方法 深度学习框架 高速摄像机 表面缺陷检测装置 精确定位能力 数据 图像增强 光学摄像头 嵌入式平台 算法平台 训练集 聚类算法 硬件设备 标签 尺寸 精度