基于生成对抗网络的单粒子效应数据生成方法
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基于生成对抗网络的单粒子效应数据生成方法
申请号:
CN202510218116
申请日期:
2025-02-26
公开号:
CN120046447B
公开日期:
2025-12-02
类型:
发明专利
摘要
本发明属于机器学习技术领域,具体涉及基于生成对抗网络的单粒子效应数据生成方法,通过GAN的高效数据生成能力,能够在少量真实实验数据的基础上生成与实际数据分布一致的高质量模拟数据,从而减少对实验数据的高度依赖。本发明不仅能够为机器学习模型提供多样化、高精度的训练数据,还能显著降低数据获取的时间和经济成本,有效弥补传统建模方法和现有机器学习技术的不足。通过本发明的应用,可以显著提升单粒子效应建模的精度和效率,为抗辐射加固电路的设计提供重要的技术支持,满足大规模宇航集成电路设计的实际需求。
技术关键词
数据生成方法
NMOS器件结构
单粒子瞬态
效应
重离子LET值
抗辐射加固电路
采样点
机器学习技术
条件生成对抗网络
数据分布
生成训练数据
集成电路设计
优化器
机器学习模型
电流值
建模方法