一种抑制GaN HEMT桥臂串扰的驱动电路

申请号：CN202510234333

申请日期：2025-02-28

公开号：CN119995327A

公开日期：2025-05-13

类型：发明专利

摘要

本发明公开了一种抑制GaN HEMT桥臂串扰的驱动电路。本发明分别在高/低侧驱动电路内设置上/下桥臂串扰抑制电路；上桥臂串扰抑制电路在功率管开启时吸收高侧驱动电路内(正向)电压尖峰串扰，在功率管关断时吸收高侧驱动电路内(负向)电压尖峰串扰；下桥臂串扰抑制电路在功率管开启时吸收低侧驱动电路内(正向)电压尖峰串扰，在功率管关断时吸收低侧驱动电路内(负向)电压尖峰串扰。本发明有效抑制了上/下桥臂串扰，保护了GaN HEMT功率器件的栅极，提高了GaN HEMT半桥驱动电路的可靠性。

技术关键词

功率管晶体管串扰抑制电路低侧驱动电路关断高侧驱动电路栅极电路电阻二极管信号栅极驱动芯片氮化镓开关速度电容电压工作周期功率器件